ClockThứ Năm, 28/02/2019 14:10

Samsung công bố chip siêu nhanh cho thiết bị di động

Sau khi ra mắt chip nhúng Universal Flash Storage (eUFS ) 2.1 512 GB vào cuối năm 2017, Samsung vừa tiếp tục công bố phiên bản thế hệ tiếp theo eUFS 3.0 512 GB với tốc độ đọc/ghi ấn tượng.

Chip nhớ 1 TB đầu tiên dành cho smartphone

eUFS 3.0 512 GB của Samsung cung cấp tốc độ đọc lên đến 2.100 Mbps

Theo Neowin, gã khổng lồ công nghệ Hàn Quốc tuyên bố rằng chip nhớ mới có khả năng đạt tốc độ đọc và ghi lần lượt là 2.100 Mbps và 410 Mbps.

Điều đó có nghĩa là các thiết bị sắp tới được tích hợp chip eUFS 3.0 đủ khả năng so sánh với các máy tính xách tay siêu mỏng hiện đại. Về lý thuyết, nó có thể cho phép người dùng chuyển một bộ phim Full HD 3,7 GB từ điện thoại sang PC chỉ trong ba giây.

Điều đáng chú ý là chip 512 GB mới có tốc độ nhanh gấp đôi so với chip nhớ eUFS 2.1 1 TB mà Samsung sản xuất vào tháng trước. Con chip đó chỉ có thể đạt tới tốc độ tối đa 1.000 Mbps cho đọc và 260 Mbps cho ghi.

Samsung cho biết chip eUFS 3.0 512 GB sẽ ra mắt vào cuối tháng này cùng với phiên bản 128 GB. Công ty cũng có kế hoạch bắt đầu sản xuất các mẫu 256 GB và 1 TB trong nửa cuối năm nay.

Theo thanhnien.vn

ĐÁNH GIÁ
Hãy trở thành người đầu tiên đánh giá cho bài viết này!
  Nội dung góp ý

BẠN CÓ THỂ QUAN TÂM

Liên đoàn Điền kinh Thế giới công bố VĐV xuất sắc nhất năm 2025

Tại lễ trao giải của Liên đoàn Điền kinh Thế giới ngày 30/11, vận động viên (VĐV) nhảy sào người Thụy Điển Armand Duplantis và VĐV chạy vượt rào và chạy nước rút người Mỹ Sydney McLaughlin-Levrone đã được vinh danh lần lượt là vận động viên nam và nữ xuất sắc nhất thế giới năm 2025.

Liên đoàn Điền kinh Thế giới công bố VĐV xuất sắc nhất năm 2025

TIN MỚI

Return to top